삼성전자, 서버용 20나노 8Gb DDR4 D램 양산 돌입

[미디어잇 노동균] 삼성전자가 올해 하반기 DDR4 전용 서버 CPU 출시에 발맞춰 20나노 공정의 8기가비트(Gb) DDR4 서버용 D램 양산에 들어간다고 21일 밝혔다.

앞서 지난 3월 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 삼성전자는 지난 9월에는 모바일 D램에도 20나노 공정을 적용한 바 있다. 이번 서버용 20나노 D램 양산으로 삼성전자는 20나노 D램 풀 라인업을 구축하게 됐다.

▲삼성전자의 20나노 8Gb D램 기반 DDR4 서버용 모듈 제품(사진= 삼성전자)

회사측에 따르면 이번 20나노 8Gb D램 기반의 DDR4 서버용 모듈은 기존 DDR3 기반 모듈보다 약 30% 빠른 2400Mbps의 고성능을 구현하면서도 동작 전압은 1.2V로 DDR3의 1.5V보다 낮게 동작해 소비전력은 더 낮다.

또한 기존 4Gb 제품 기반으로는 최대 64GB 용량의 모듈만 생산 가능하지만, 이번 8Gb D램과 함께 지난 8월 삼성전자가 양산을 시작한 실리콘관통전극(TSV) 기술을 접목함으로써 최대 128GB 모듈을 공급할 수 있게 됐다는 것이 삼성전자의 설명이다.

향후 삼성전자는 PC용의 경우 생산 효율이 높은 4Gb, 모바일용은 패키지 크기를 줄이면서 칩의 적층 수를 줄일 수 있는 6Gb, 서버용은 고용량의 8Gb D램 등 응용처에 따라 최적화된 다양한 용량의 제품으로 차별화 전략을 펼쳐 나간다는 계획이다.

백지호 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 상무는 “이번 20나노 8Gb DDR4 D램은 차세대 서버 시스템 구축을 위한 3가지 필요요소인 고성능, 고용량, 저전력 특성을 모두 만족시킨 제품”이라며 “향후 20나노 D램의 비중을 지속 확대해 글로벌 고객의 수요 증가에 맞춰 최고 특성의 제품을 공급할 것”이라고 말했다.

노동균 기자 yesno@it.co.kr