삼성전자, 3차원 적층 TSV 기반 DDR4 D램 모듈 양산

[미디어잇 노동균] 삼성전자가 3차원 실리콘 관통전극(TSV) 적층 기술을 적용한 64GB 차세대 DDR4 서버용 D램 모듈 양산에 들어갔다고 27일 밝혔다.

▲삼성전자가 3차원 실리콘 관통전극(TSV) 적층 기술 적용 차세대 DDR4 D램 모듈 양산에 나선다고 27일 밝혔다(사진= 삼성전자)

이번 64기가바이트 DDR4 D램 모듈은 20나노급 4Gb D램 칩 144개로 구성된 대용량 제품이다. 3차원 TSV 기술로 4Gb D램을 4단으로 쌓아 만든 4단 칩 36개를 탑재했다.

TSV는 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 다음, 수 백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술을 말한다. 이를 통해 기존 금선 방식의 와이어를 이용한 패키징 방식에 비해 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있다는 것이 삼성전자의 설명이다.

지난 2010년 첫 TSV 기반 D램 모듈을 개발하고 글로벌 서버 고객과 기술 협력을 추진해온 삼성전자는 올해 TSV 전용 라인을 구축하고, 양산 체제에 돌입함으로써 새로운 시장 창출에 나선다는 계획이다.

특히 이번 64GB 대용량 서버용 DDR4 모듈과 금년 하반기 출시되는 글로벌 IT 업체들의 차세대 서버용 CPU를 연계해 DDR4 신규시장을 적극 공략해 나간다는 방침이다.

삼성전자에 따르면 이번 3차원 TSV 기술 기반의 서버용 D램은 기존 와이어를 이용한 D램 대비 동작 속도가 2배나 빠르면서도 소비전력을 1/2 수준으로 크게 절감했다.

특히 TSV 기술 적용으로 현재까지 D램에서 속도 지연 문제로 최대 4단까지 밖에 쌓지 못했던 기술 한계를 넘어 더 많은 칩을 쌓을 수 있어 향후 64기가바이트 이상 대용량 제품을 양산할 수 있게 됐다는 점에 의의가 있다.

백지호 삼성전자 메모리사업부 메모리 마케팅팀 상무는 “이번 TSV기반 D램 모듈 양산으로 하반기 업계 차세대 CPU 출시에 맞춘 초절전 솔루션을 제공하고 프리미엄 DDR4 D램 시장을 선점할 수 있게 됐다”며 “향후 3차원 메모리 반도체 기술을 기반으로 차세대 라인업을 한 발 앞서 출시해 제품 경쟁력을 강화하는 한편 글로벌 메모리 시장이 지속 성장하는데 주도적인 역할을 할 것”이라고 말했다.

노동균 기자 yesno@it.co.kr